Cette acquisition vient compléter le parc d'équipements de l'INL déjà équipé en systèmes MBE RIBER. Elle contribuera à augmenter les capacités de recherche de l'institut dans le développement de composants innovants en micro et opto électroniques. Elle permettra notamment de renforcer les travaux sur l'utilisation d'un substrat « universel », le silicium.
L'INL est une unité mixte de recherche placée sous l'autorité tripartite du CNRS, de l'Ecole Centrale de Lyon, de l'INSA de Lyon et de l'Université Lyon 1. La vocation de l'INL est de développer des recherches, s'étendant des matériaux aux systèmes, qui doivent aboutir à l'émergence de filières technologiques originales. Les domaines d'application couvrent de grands secteurs économiques: les industries des semiconducteurs, de la microélectronique et de la photonique, les télécommunications, l'énergie, la santé, la biologie, le contrôle industriel, la défense, l'environnement...
AOF - EN SAVOIR PLUS
LE SECTEUR DE LA VALEUR
Semi-conducteurs
Au troisième trimestre, les ventes de semi-conducteurs pourraient être fortement pénalisées par le ralentissement de la demande de la part des constructeurs informatiques. Certains analystes revoient ainsi leurs estimations à la baisse en tenant compte d'une moindre demande en Europe, d'une prudence croissante des consommateurs américains et d'un ralentissement en Chine. Certains acteurs confirment également ces craintes : les fondeurs coréens TSMC et UMC auraient constaté une hausse des stocks chez leurs clients principaux, les fabricants de semi-conducteurs. Un autre facteur inquiète également les spécialistes : le succès croissant de l'iPad d'Apple, qui pourrait empiéter sur le marché de l'ordinateur portable.
Riber is a world leading supplier of MBE products and services to the compound semiconductor community. Founded in 1964, Riber is a French company that has started by supplying the Research Laboratories and Universities with ultrahigh vacuum (UHV) pumps and components. In 1976, Riber became a division of Instruments S.A., a Scientific Instrumentation Company. Its experience with ultrahigh vacuum enabled it to become rapidly the world leader in the industrial development of Molecular Beam Epitaxy (MBE), a crystal growth technique used for processing the base layers of semiconductor devices and brought to light in the seventies by several Physics Nobel prizes and Riber pioneer customers. In 1978, Riber began offering to the semiconductor research institutes the first turnkey MBE systems with guaranteed performance (MBE500 & MBE 1000 Series). During the next decade, the company introduced most of the innovative devices such as the substrate load lock concept,
Products Riber designs, develops, manufactures, and markets a wide range of MBE systems and related products for use in both research on compound semiconductor materials and for volume production of epiwafers. Riber also proposes ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) machines for the R&D of epitaxial growth techniques to be applied in the manufacture of silicon germanium-based compound semiconductor devices and oxides. In addition to MBE systems, a comprehensive range of MBE related-components is also available. This includes effusion cells, valved crackers, gas flow control systems and valved injectors, computerized process controllers as well as UHV hardware components such as MBE source flanges, substrate heaters, beam flux shutters, cooling panels, and more. Services Riber services and maintains over 800 systems worldwide. Fast maintenance and upgrading service to this base is provided by its Customer Service department supported by regional customer centres. All centres are staffed by MBE experts and maintain stocks of spare parts. Applications Riber offers additional support through its in-house Applications Laboratory, which is exclusively devoted to the qualification of MBE components and accessories. Growth related consulting and training are also provided to users under the supervision of highly qualified Ph.D. scientists. Today, Riber is playing a leading role in the development and dissemination of the MBE technology through collaborations and joint R&D projects with major partners worldwide. |
Riber est un des principaux fournisseurs de produits et de services destinés à la communauté MBE. Société française créée en 1964, Riber a démarré son activité en tant que distributeur de produits ultravide (UHV), destinés aux universités et aux laboratoires de recherche. En 1976, Riber a été absorbée par Instruments S.A., un groupe spécialisé dans l'instrumentation scientifique dont elle est devenue une division. Pendant cette période, son expérience en matière de composants UHV et de procédés sous vide lui a permis de conduire le développement industriel de la technique de l'épitaxie par jets moléculaires (EJM) appelée aussi MBE (Molecular Beam Epitaxy).
Epitaxie par jets moléculaires ? L'épitaxie par jets moléculaires est une technique de dépôt sous vide qui consiste à évaporer sous forme de jets des matériaux source élémentaires (par ex. arsenic) ou composés (par ex. GaP) et à diriger ces flux de matière vers un support monocristallin chauffé (substrat) où ils diffuseront et formeront une structure cristalline identique à celle du substrat (épitaxie). Des "impuretés" appelées dopants peuvent être incorporées dans ces couches minces afin de modifier leurs propriétés électriques (isolation, conduction) et créer ainsi des matériaux semiconducteurs composés. Les composants électroniques et optoélectroniques élaborés à partir de ces matériaux présentent des caractéristiques physiques remarquables; ainsi, tout en consommant moins d'énergie, ils fonctionnent à des fréquences plus élevées et présentent une bien meilleure linéarité que les dispositifs conventionnels en silicium. De plus, après conditionnement, ces alliages peuvent émettre de la lumière ou détecter des champs magnétiques. De ce fait, les matériaux produits grâce à l'EJM s'avèrent aujourd'hui indispensables à de nombreuses applications industrielles, telles que les systèmes de transfert de données à haut débit, par réseau hertzien terrestre, par satellite et par réseau optique, aux systèmes de défense, à l'industrie automobile et à l'électronique grand public.
Produits Applications |
02/12/2010 | 2,21 | 2,21 | 2,12 | 2,18 | 26.105 |
01/12/2010 | 2,23 | 2,23 | 2,15 | 2,21 | 14.680 |
30/11/2010 | 2,21 | 2,23 | 2,21 | 2,23 | 3.286 |
29/11/2010 | 2,23 | 2,24 | 2,21 | 2,23 | 7.595 |
26/11/2010 | 2,21 | 2,25 | 2,21 | 2,25 | 22.624 |
25/11/2010 | 2,23 | 2,24 | 2,21 | 2,21 | 7.210 |
24/11/2010 | 2,21 | 2,25 | 2,21 | 2,24 | 19.709 |
23/11/2010 | 2,26 | 2,27 | 2,21 | 2,23 | 22.106 |
22/11/2010 | 2,25 | 2,27 | 2,21 | 2,26 | 30.112 |
19/11/2010 | 2,29 | 2,30 | 2,25 | 2,27 | 10.654 |
18/11/2010 | 2,29 | 2,30 | 2,22 | 2,30 | 26.980 |
17/11/2010 | 2,21 | 2,30 | 2,20 | 2,29 | 50.611 |
16/11/2010 | 2,25 | 2,25 | 2,20 | 2,25 | 25.909 |
15/11/2010 | 2,23 | 2,27 | 2,21 | 2,26 | 11.287 |
12/11/2010 | 2,27 | 2,28 | 2,21 | 2,26 | 14.165 |
11/11/2010 | 2,27 | 2,28 | 2,24 | 2,27 | 10.139 |
10/11/2010 | 2,30 | 2,32 | 2,24 | 2,28 | 33.710 |
09/11/2010 | 2,30 | 2,32 | 2,29 | 2,30 | 10.164 |
08/11/2010 | 2,31 | 2,32 | 2,29 | 2,30 | 15.251 |
05/11/2010 | 2,22 | 2,31 | 2,22 | 2,29 | 63.276 |
04/11/2010 | 2,22 | 2,22 | 2,20 | 2,22 | 8.988 |
03/11/2010 | 2,18 | 2,22 | 2,18 | 2,22 | 12.384 |
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